Behlke高压开关SiC和沟槽FET ： 通过碳化硅FET（SiC）或沟槽FET技术实现低的导通电阻 ● 具有真正继电器特性的多功能HV开关 ● 可通过TTL信号控制导通时间 ● 低动态开关损耗和 低的导通损耗 ● 适用于工业电源应用 ● 过载和电压反转方面均很坚固 ● 的dv / dt抗高压瞬变能力 。

Behlke高压开关双向/交流电压MOSFET ：具有真正继电器特性的多功能HV开关●性无关●非常适合振荡电路和常规RF应用●可通过TTL信号控制导通时间●过载和电压反转方面都很●现在可用：LC2技术可提供高的瞬态抗扰性。

Behlke高压开关双向/交流电压MOSFET ：具有真正继电器特性的多功能HV开关●性无关●非常适合振荡电路和常规RF应用●可通过TTL信号控制导通时间●过载和电压反转方面都很●现在可用：LC2技术可提供高的瞬态抗扰性。

Behlke高压开关双向/交流电压MOSFET ：具有真正继电器特性的多功能HV开关●性无关●非常适合振荡电路和常规RF应用●可通过TTL信号控制导通时间●过载和电压反转方面都很●现在可用：LC2技术可提供高的瞬态抗扰性。

Behlke高压开关 MCT ： ● 具有真正继电器特性的多功能高压开关 ● 可通过TTL信号控制导通时间 ● 低导通损耗 ● 高浪涌电流能力 ● 200安培关断能力 ● 的dv / dt抗高压瞬变能力 。